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超声波探伤仪探头

产品概述:

超声波探伤仪探头主要由压电晶片组成。探头可发射及接收超声波。探头由于其结构的不同可分为直探头(纵波)、斜探头(横波)、双探头(一个探头发射,另一个探头接收)等。

直探头  直探头也称平探头,可发射及接受纵波。直探头主要由压电晶片、阻尼块(吸收块)及保护膜组成。(1)压电晶片 压电晶片的厚度与超声频率成反比。(2)保护膜 直探头为避免晶片与工件直接接触而磨损晶片,在晶片下粘合一层保护膜,有软性保护和硬性保护两种。(3)阻尼块 阻尼块又名吸收块,其作用为降低降低晶片的机械品质系数,吸收声能量。如果没有阻尼块,电振荡脉冲停止时,压电晶片因惯性作用,仍继续振动,加长了超声波的脉冲宽度,使盲区增大,分辨力差。

斜探头 超声波探伤仪斜探头可发射及接收横波。斜探头主要由压电晶片、阻尼块和斜楔块组成。晶片产生纵波,经斜楔倾斜入射到被测工件中,转换为横波。斜楔为有机玻璃,被测工件为钢,斜探头的角度(即入射角)在28°~61°之间时,在钢中可产生横波。斜楔的形状应使声波在斜楔中传播时不得返回晶片,以免出现杂波。直探头在液体中倾斜入射工件时,也能产生横波。

双探头 超声波探伤仪双探头又称组合探头,两块压电晶片装在一个探头架内,一个晶片发射,另一个接收。双探头发射及接收纵波,晶片下的延迟块使声波延迟一段时间后射入工件,这样可探测近表面的缺陷并可提高分辨力。两块晶片有一倾角(一般约3°~18°),两晶片声场重合部分(阴影部分),是探伤灵敏度较高的部位。



单晶直探头

 

 

型号

 

频率

 

晶片尺寸

 

近场长度

 

 

连接端口

 

MHz

 

mm

 

In

 

mm

 

In

2M10N

2

10

0.39

8

0.3

 LEMO00(C5)

4M10N

4

10

0.39

17

0.7

LEMO00(C5)

2.5M10N

2.5

10

0.39

11

0.4

BNC(Q9)

5M10N

5

10

0.39

21

0.8

BNC(Q9)

10M10N

10

10

0.39

42

1.7

BNC(Q9)

2M14N

2

14

0.55

17

0.7

LEMO00(C5)

2M14N

2

14

0.55

17

0.7

LEMO00(C5)

2M14N

2

14

0.55

17

0.7

LEMO00(C5)

2M14N

2

14

0.55

17

0.7

LEMO00(C5)

1M20N

1

20

0.79

17

0.7

LEMO00(C5)

2M20N

2

20

0.79

34

1.3

LEMO00(C5)

4M20N

4

20

0.79

68

2.7

LEMO00(C5)

2.5M20N

2.5

20

0.79

42

1.7

BNC(Q9)

5M20N

5

20

0.79

85

3.3

BNC(Q9)

双晶直探头

 

 

型号

 

频率

 

晶片尺寸

 

焦距

 

MHz

 

mm

 

In

 

mm

 

In

2M11FG8

2

Ф11/2

0.43

8

0.3

2M12FG10

2

Ф12/2

0.7

10

0.4

4M3.5×10FG10

4

3.5*10

0.14*0.39

10

0.4

4M3.5×10FG18

4

3.5*10

0.14*0.39

18

0.7

5M10FG10

5

Ф10/2

0.39

10

0.4

2.5M20FG10

2.5

Ф20/2

0.79

10

0.4

2.5M20FG15

2.5

Ф20/2

0.79

15

0.6

2.5M20FG20

2.5

Ф20/2

0.79

20

0.8

2.5M20FG30

2.5

Ф20/2

0.79

30

1.2

5M20FG10

5

Ф20/2

0.79

10

0.4

5M20FG15

5

Ф20/2

0.79

15

0.6

5M20FG20

5

Ф20/2

0.79

20

0.8

5M20FG30

5

Ф20/2

0.79

30

1.2


单晶斜探头等

袋装探头

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